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CSD86336Q3D

CSD86336Q3D

僅供參考

型號 CSD86336Q3D
PNEDA編號 CSD86336Q3D
描述 25V POWERBLOCK N CH MOSFET
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 7,974
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CSD86336Q3D資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CSD86336Q3D
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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CSD86336Q3D規格

制造商
系列NexFET™
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Logic Level Gate, 5V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
功率-最大6W
工作溫度-55°C ~ 125°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝8-VSON (3.3x3.3)

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Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

N and P-Channel

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A, 4.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

355pF @ 20V

功率-最大

2.75W, 2.95W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate, 1.8V Drive

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

128pF @ 10V

功率-最大

800mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-SMD, Flat Leads

供應商設備包裝

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Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5Ohm @ 220mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 10V

功率-最大

200mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-363

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1120pF @ 10V

功率-最大

900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

Advanced Linear Devices Inc.

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FET類型

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

10.6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12mA, 3mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 3.6V

Vgs(th)(最大)@ ID

380mV @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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