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CSD87384M

CSD87384M

僅供參考

型號 CSD87384M
PNEDA編號 CSD87384M
描述 MOSFET 2N-CH 30V 30A 5PTAB
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 8,964
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 7 - 十二月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CSD87384M資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CSD87384M
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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CSD87384M規格

制造商
系列NexFET™
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)30A
Rds On(Max)@ Id,Vgs7.7mOhm @ 25A, 8V
Vgs(th)(最大)@ ID1.9V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9.2nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1150pF @ 15V
功率-最大8W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱5-LGA
供應商設備包裝5-PTAB (5x3.5)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A (Ta), 136A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

34A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.71mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 20V

功率-最大

23W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

830mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

135mOhm @ 1.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

290pF @ 25V

功率-最大

1.04W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A, 60A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

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