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CSD87503Q3ET

CSD87503Q3ET

僅供參考

型號 CSD87503Q3ET
PNEDA編號 CSD87503Q3ET
描述 30-V DUAL N-CHANNEL MOSFET, COMM
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 5,796
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CSD87503Q3ET資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CSD87503Q3ET
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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CSD87503Q3ET規格

制造商
系列NexFET™
FET類型2 N-Channel (Dual) Common Source
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID2.1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17.4nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1020pF @ 15V
功率-最大15.6W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerVDFN
供應商設備包裝8-VSON (3.3x3.3)

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

856pF @ 10V

功率-最大

980mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

815pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1130pF @ 15V

功率-最大

900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.7A, 11.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

946pF @ 15V

功率-最大

3.3W, 3.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A, 33A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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