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CUS10I40A(TE85L,QM

CUS10I40A(TE85L,QM

僅供參考

型號 CUS10I40A(TE85L,QM
PNEDA編號 CUS10I40A-TE85L-QM
描述 DIODE SCHOTTKY 40V 1A US-FLAT
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 2,916
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 22 - 十一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CUS10I40A(TE85L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CUS10I40A(TE85L,QM
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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CUS10I40A(TE85L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)40V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果490mV @ 700mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr60µA @ 40V
電容@ Vr,F35pF @ 10V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-76, SOD-323
供應商設備包裝US-FLAT (1.25x2.5)
工作溫度-結點150°C (Max)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2V @ 60A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

115ns

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

350A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

30mA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

80ns

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 650V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-反向泄漏@ Vr

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500mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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