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CY14B104L-BA20XIT

CY14B104L-BA20XIT

僅供參考

型號 CY14B104L-BA20XIT
PNEDA編號 CY14B104L-BA20XIT
描述 IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,598
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY14B104L-BA20XIT資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY14B104L-BA20XIT
類別半導體內存IC內存
數據表
CY14B104L-BA20XIT, CY14B104L-BA20XIT數據表 (總頁數: 25, 大小: 791.82 KB)
PDFCY14B104N-ZS45XIT數據表 封面
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CY14B104L-BA20XIT規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式NVSRAM
技術NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
內存大小4Mb (512K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁20ns
訪問時間20ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFBGA
供應商設備包裝48-FBGA (6x10)

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內存接口

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時鐘頻率

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5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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內存類型

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內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR

內存大小

512Mb (128M x 4)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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內存大小

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

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-

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訪問時間

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安裝類型

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

2ns

訪問時間

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電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

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