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CY14B104LA-ZS20XI

CY14B104LA-ZS20XI

僅供參考

型號 CY14B104LA-ZS20XI
PNEDA編號 CY14B104LA-ZS20XI
描述 IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 10,152
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY14B104LA-ZS20XI資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY14B104LA-ZS20XI
類別半導體內存IC內存

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CY14B104LA-ZS20XI規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式NVSRAM
技術NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
內存大小4Mb (512K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁20ns
訪問時間20ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-TSOP II

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內存接口

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時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存大小

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I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

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工作溫度

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Micron Technology Inc.

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內存格式

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技術

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內存大小

4Gb (256M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.33GHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.26V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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