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CY14B104N-ZS25XCT

CY14B104N-ZS25XCT

僅供參考

型號 CY14B104N-ZS25XCT
PNEDA編號 CY14B104N-ZS25XCT
描述 IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,760
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 11 - 十一月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY14B104N-ZS25XCT資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY14B104N-ZS25XCT
類別半導體內存IC內存
數據表
CY14B104N-ZS25XCT, CY14B104N-ZS25XCT數據表 (總頁數: 25, 大小: 791.82 KB)
PDFCY14B104N-ZS45XIT數據表 封面
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CY14B104N-ZS25XCT規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式NVSRAM
技術NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
內存大小4Mb (256K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁25ns
訪問時間25ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-TSOP II

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內存接口

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時鐘頻率

16MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

40µs

訪問時間

70ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

32Mb (1M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

75MHz

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

54ns

電壓-供電

1.65V ~ 2.75V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

4Kb (256 x 8 x 2)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

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內存類型

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內存格式

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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