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CY14B108L-BA45XI

CY14B108L-BA45XI

僅供參考

型號 CY14B108L-BA45XI
PNEDA編號 CY14B108L-BA45XI
描述 IC NVSRAM 8M PARALLEL 48FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,482
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY14B108L-BA45XI資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY14B108L-BA45XI
類別半導體內存IC內存

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CY14B108L-BA45XI規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式NVSRAM
技術NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
內存大小8Mb (1M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁45ns
訪問時間45ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFBGA
供應商設備包裝48-FBGA (6x10)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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內存接口

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時鐘頻率

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-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

2Kb (128 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

6ms

訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

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內存類型

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128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

8ms, 2.8ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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