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CY62147G30-55BVXET

CY62147G30-55BVXET

僅供參考

型號 CY62147G30-55BVXET
PNEDA編號 CY62147G30-55BVXET
描述 IC SRAM 4M PARALLEL
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,796
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY62147G30-55BVXET資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY62147G30-55BVXET
類別半導體內存IC內存

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CY62147G30-55BVXET規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列MoBL®
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小4Mb (256K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電2.2V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-VFBGA
供應商設備包裝48-VFBGA (6x8)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

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安裝類型

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內存類型

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

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