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CY62256NLL-55ZXI

CY62256NLL-55ZXI

僅供參考

型號 CY62256NLL-55ZXI
PNEDA編號 CY62256NLL-55ZXI
描述 IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 19,811
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY62256NLL-55ZXI資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY62256NLL-55ZXI
類別半導體內存IC內存

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CY62256NLL-55ZXI規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列MoBL®
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小256Kb (32K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
供應商設備包裝28-TSOP I

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內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Renesas Electronics America

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

5MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

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內存格式

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內存大小

72Mb (2M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (64 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

14-SOIC

FM24CL64B-GTR

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

F-RAM™

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FRAM

技術

FRAM (Ferroelectric RAM)

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

550ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.65V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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