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CY62256VNLL-70ZRXE

CY62256VNLL-70ZRXE

僅供參考

型號 CY62256VNLL-70ZRXE
PNEDA編號 CY62256VNLL-70ZRXE
描述 IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,964
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 9 - 十一月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY62256VNLL-70ZRXE資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY62256VNLL-70ZRXE
類別半導體內存IC內存
數據表
CY62256VNLL-70ZRXE, CY62256VNLL-70ZRXE數據表 (總頁數: 13, 大小: 416.43 KB)
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CY62256VNLL-70ZRXE規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列MoBL®
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小256Kb (32K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
供應商設備包裝28-TSOP I

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內存接口

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

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Silicon Motion, Inc.

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技術

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內存大小

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內存接口

-

時鐘頻率

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電壓-供電

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內存類型

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

40µs, 1.2ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

50µs

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

32-DIP (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

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Microchip Technology

制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

6ms

訪問時間

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