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CY7C10212CV33-12BAXE

CY7C10212CV33-12BAXE

僅供參考

型號 CY7C10212CV33-12BAXE
PNEDA編號 CY7C10212CV33-12BAXE
描述 IC SRAM 1M PARALLEL 48FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,014
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C10212CV33-12BAXE資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C10212CV33-12BAXE
類別半導體內存IC內存

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CY7C10212CV33-12BAXE規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小1Mb (64K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁12ns
訪問時間12ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFBGA
供應商設備包裝48-FBGA (7x7)

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內存類型

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內存大小

128Mb (4M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

125MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

7ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

90-VFBGA

供應商設備包裝

90-VFBGA (8x13)

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Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-TSSOP

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Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8, 64 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-TSSOP

PC28F064M29EWTY TR

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

60ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

64-LBGA

供應商設備包裝

64-FBGA (11x13)

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制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

8Mb (264 Bytes x 4096 pages)

內存接口

SPI

時鐘頻率

15MHz

寫周期-字,頁

14ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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