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CY7C1021BN-12VXCT

CY7C1021BN-12VXCT

僅供參考

型號 CY7C1021BN-12VXCT
PNEDA編號 CY7C1021BN-12VXCT
描述 IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,970
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 19 - 二月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1021BN-12VXCT資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1021BN-12VXCT
類別半導體內存IC內存
數據表
CY7C1021BN-12VXCT, CY7C1021BN-12VXCT數據表 (總頁數: 10, 大小: 474.42 KB)
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CY7C1021BN-12VXCT規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小1Mb (64K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁12ns
訪問時間12ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-SOJ

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

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EEPROM

內存大小

8Kb (1K x 8, 512 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

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-

訪問時間

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電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

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安裝類型

-

包裝/箱

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