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CY7C1041G30-10VXI

CY7C1041G30-10VXI

僅供參考

型號 CY7C1041G30-10VXI
PNEDA編號 CY7C1041G30-10VXI
描述 IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,072
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1041G30-10VXI資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1041G30-10VXI
類別半導體內存IC內存

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CY7C1041G30-10VXI規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小4Mb (256K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁10ns
訪問時間10ns
電壓-供電2.2V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-SOJ

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內存接口

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時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

7µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Everspin Technologies Inc.

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

RAM

技術

MRAM (Magnetoresistive RAM)

內存大小

1Mb (64K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

24Gb (384M x 64)

內存接口

-

時鐘頻率

1600MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.1V

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

2Mb (128K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6.5ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

RAM

技術

SGRAM - GDDR5

內存大小

8Gb (256M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.5GHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.31V ~ 1.39V, 1.46V ~ 1.55V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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