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CY7C1041GE-10ZSXIT

CY7C1041GE-10ZSXIT

僅供參考

型號 CY7C1041GE-10ZSXIT
PNEDA編號 CY7C1041GE-10ZSXIT
描述 IC SRAM 4M PARALLEL
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,274
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1041GE-10ZSXIT資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1041GE-10ZSXIT
類別半導體內存IC內存

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CY7C1041GE-10ZSXIT規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小4Mb (256K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁10ns
訪問時間10ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-TSOP II

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

36-SOJ

S29GL064N90TFA023

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

90ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

56-TSOP

DS1270AB-70IND#

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制造商

Maxim Integrated

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

16Mb (2M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.75V ~ 5.25V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

36-DIP Module (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

36-EDIP

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

48-TSOP

M24C64-FCS6TP/K

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

450ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

5-WLCSP

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