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CY7C1049G18-15ZSXI

CY7C1049G18-15ZSXI

僅供參考

型號 CY7C1049G18-15ZSXI
PNEDA編號 CY7C1049G18-15ZSXI
描述 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,164
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1049G18-15ZSXI資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1049G18-15ZSXI
類別半導體內存IC內存

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CY7C1049G18-15ZSXI規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小4Mb (512K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁15ns
訪問時間15ns
電壓-供電1.65V ~ 2.2V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-TSOP II

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

150ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

80ns

訪問時間

80ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

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內存格式

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內存大小

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

5µs, 3ms

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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