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CY7C1051H30-10ZSXI

CY7C1051H30-10ZSXI

僅供參考

型號 CY7C1051H30-10ZSXI
PNEDA編號 CY7C1051H30-10ZSXI
描述 IC SRAM 8M PARALLEL
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,424
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1051H30-10ZSXI資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1051H30-10ZSXI
類別半導體內存IC內存

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CY7C1051H30-10ZSXI規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小8Mb (512K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁10ns
訪問時間10ns
電壓-供電2.2V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-TSOP II

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-UFDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8, 128 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

MT29F128G08AKCDBJ5-6IT:D TR

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

128Gb (16G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

576Kb (16K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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