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CY7C1059DV33-12ZSXI

CY7C1059DV33-12ZSXI

僅供參考

型號 CY7C1059DV33-12ZSXI
PNEDA編號 CY7C1059DV33-12ZSXI
描述 IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,826
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 22 - 二月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1059DV33-12ZSXI資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1059DV33-12ZSXI
類別半導體內存IC內存
數據表
CY7C1059DV33-12ZSXI, CY7C1059DV33-12ZSXI數據表 (總頁數: 10, 大小: 806.53 KB)
PDFCY7C1059DV33-12ZSXIT數據表 封面
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CY7C1059DV33-12ZSXI規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小8Mb (1M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁12ns
訪問時間12ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-TSOP II

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

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電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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內存類型

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

150ns

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工作溫度

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