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CY7C1061G-10BVJXI

CY7C1061G-10BVJXI

僅供參考

型號 CY7C1061G-10BVJXI
PNEDA編號 CY7C1061G-10BVJXI
描述 IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,372
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1061G-10BVJXI資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1061G-10BVJXI
類別半導體內存IC內存

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CY7C1061G-10BVJXI規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小16Mb (1M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁10ns
訪問時間10ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-VFBGA
供應商設備包裝48-VFBGA (6x8)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.1V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

80ns

訪問時間

80ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

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內存大小

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時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

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工作溫度

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

4.5µs

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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