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CY7C1061GE30-10BV1XIT

CY7C1061GE30-10BV1XIT

僅供參考

型號 CY7C1061GE30-10BV1XIT
PNEDA編號 CY7C1061GE30-10BV1XIT
描述 IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,130
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1061GE30-10BV1XIT資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1061GE30-10BV1XIT
類別半導體內存IC內存

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CY7C1061GE30-10BV1XIT規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小16Mb (1M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁10ns
訪問時間10ns
電壓-供電2.2V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-VFBGA
供應商設備包裝48-VFBGA (6x8)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

8ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存接口

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時鐘頻率

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安裝類型

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.1ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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內存類型

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內存格式

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內存接口

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時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

4.2ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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