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CY7C109BN-12ZXCT

CY7C109BN-12ZXCT

僅供參考

型號 CY7C109BN-12ZXCT
PNEDA編號 CY7C109BN-12ZXCT
描述 IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,010
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C109BN-12ZXCT資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C109BN-12ZXCT
類別半導體內存IC內存
數據表
CY7C109BN-12ZXCT, CY7C109BN-12ZXCT數據表 (總頁數: 9, 大小: 455.41 KB)
PDFCY7C109BNL-15VC數據表 封面
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CY7C109BN-12ZXCT規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁12ns
訪問時間12ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝32-TSOP I

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

120ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

32-CDIP (0.685", 17.40mm) Window

供應商設備包裝

32-CDIP

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

128Kb (16K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

90ns

電壓-供電

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-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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