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CY7C1165KV18-400BZXC

CY7C1165KV18-400BZXC

僅供參考

型號 CY7C1165KV18-400BZXC
PNEDA編號 CY7C1165KV18-400BZXC
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,092
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1165KV18-400BZXC資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1165KV18-400BZXC
類別半導體內存IC內存

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CY7C1165KV18-400BZXC規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, QDR II+
內存大小18Mb (512K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率400MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-FBGA (13x15)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

2.65V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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時鐘頻率

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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內存大小

8Gb (256M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.625GHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.31V ~ 1.39V

工作溫度

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安裝類型

Sub-Base Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

2Kb (256 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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10ms

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32-TSOP

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