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CY7C1312BV18-200BZI

CY7C1312BV18-200BZI

僅供參考

型號 CY7C1312BV18-200BZI
PNEDA編號 CY7C1312BV18-200BZI
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價
1 ---------- $293.3280
50 ---------- $279.5782
100 ---------- $265.8285
200 ---------- $252.0788
400 ---------- $240.6206
500 ---------- $229.1625
庫存 3,814
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1312BV18-200BZI資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1312BV18-200BZI
類別半導體內存IC內存
數據表
CY7C1312BV18-200BZI, CY7C1312BV18-200BZI數據表 (總頁數: 29, 大小: 670.88 KB)
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CY7C1312BV18-200BZI規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, QDR II
內存大小18Mb (1M x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-FBGA (13x15)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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