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CY7C1314CV18-200BZC

CY7C1314CV18-200BZC

僅供參考

型號 CY7C1314CV18-200BZC
PNEDA編號 CY7C1314CV18-200BZC
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,068
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1314CV18-200BZC資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1314CV18-200BZC
類別半導體內存IC內存
數據表
CY7C1314CV18-200BZC, CY7C1314CV18-200BZC數據表 (總頁數: 25, 大小: 689.51 KB)
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CY7C1314CV18-200BZC規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, QDR II
內存大小18Mb (512K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-FBGA (13x15)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

25ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

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60ns

訪問時間

105ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

64-LBGA

供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

5µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

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