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CY7C1320KV18-250BZC

CY7C1320KV18-250BZC

僅供參考

型號 CY7C1320KV18-250BZC
PNEDA編號 CY7C1320KV18-250BZC
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,262
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1320KV18-250BZC資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1320KV18-250BZC
類別半導體內存IC內存

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CY7C1320KV18-250BZC規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, DDR II
內存大小18Mb (512K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率250MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-FBGA (13x15)

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存接口

SPI

時鐘頻率

50MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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制造商

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

4.5Mb (256K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

70ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

64Kb (4K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

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15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

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