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CY7C1356C-166AXI

CY7C1356C-166AXI

僅供參考

型號 CY7C1356C-166AXI
PNEDA編號 CY7C1356C-166AXI
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,526
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1356C-166AXI資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1356C-166AXI
類別半導體內存IC內存

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CY7C1356C-166AXI規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列NoBL™
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小9Mb (512K x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.5ns
電壓-供電3.135V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱100-LQFP
供應商設備包裝100-TQFP (14x20)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

55ns

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工作溫度

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

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內存大小

512Mb (16M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

90-TFBGA

供應商設備包裝

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PC28F064M29EWHA

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

60ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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MT29F2G08ABDWP:D

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

2Gb (256M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

48-TSOP I

MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH, RAM

技術

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

內存大小

4Gb (512M x 8)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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