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CY7C1361B-100BGC

CY7C1361B-100BGC

僅供參考

型號 CY7C1361B-100BGC
PNEDA編號 CY7C1361B-100BGC
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,906
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1361B-100BGC資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1361B-100BGC
類別半導體內存IC內存
數據表
CY7C1361B-100BGC, CY7C1361B-100BGC數據表 (總頁數: 34, 大小: 856.25 KB)
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CY7C1361B-100BGC規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小9Mb (256K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率100MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間8.5ns
電壓-供電3.135V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱119-BGA
供應商設備包裝119-PBGA (14x22)

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寫周期-字,頁

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

5MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

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內存類型

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內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

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Non-Volatile

內存格式

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內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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內存類型

Volatile

內存格式

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內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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