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CY7C1370D-200AXI

CY7C1370D-200AXI

僅供參考

型號 CY7C1370D-200AXI
PNEDA編號 CY7C1370D-200AXI
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,634
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1370D-200AXI資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1370D-200AXI
類別半導體內存IC內存

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CY7C1370D-200AXI規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列NoBL™
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小18Mb (512K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3ns
電壓-供電3.135V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱100-LQFP
供應商設備包裝100-TQFP (14x20)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

100ns

電壓-供電

4.75V ~ 5.25V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

34-LPM

供應商設備包裝

34-LPM

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

FLASH

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ms

訪問時間

250ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

150ns

訪問時間

150ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

24-DIP Module (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

24-PCDIP, CAPHAT®

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, DDR II+

內存大小

36Mb (1M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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