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CY7C1370DV25-167BZI

CY7C1370DV25-167BZI

僅供參考

型號 CY7C1370DV25-167BZI
PNEDA編號 CY7C1370DV25-167BZI
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,938
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1370DV25-167BZI資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1370DV25-167BZI
類別半導體內存IC內存

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CY7C1370DV25-167BZI規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列NoBL™
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小18Mb (512K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率167MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.4ns
電壓-供電2.375V ~ 2.625V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-FBGA (13x15)

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電壓-供電

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工作溫度

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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電壓-供電

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, DDR

內存大小

9Mb (256K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.4V ~ 2.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

165-FBGA (13x15)

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

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內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

1ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

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