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CY7C1383S-133AXC

CY7C1383S-133AXC

僅供參考

型號 CY7C1383S-133AXC
PNEDA編號 CY7C1383S-133AXC
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,748
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 8 - 一月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1383S-133AXC資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1383S-133AXC
類別半導體內存IC內存

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CY7C1383S-133AXC規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小18Mb (1M x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間6.5ns
電壓-供電3.135V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱100-LQFP
供應商設備包裝100-TQFP (14x14)

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

120ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

100ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

52-LCC (J-Lead)

供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

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時鐘頻率

86MHz

寫周期-字,頁

50µs, 3ms

訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH, RAM

技術

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

內存大小

8Gb (512M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

8Mb (512K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

8ns

訪問時間

8ns

電壓-供電

2.4V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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