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CY7C1414AV18-200BZXC

CY7C1414AV18-200BZXC

僅供參考

型號 CY7C1414AV18-200BZXC
PNEDA編號 CY7C1414AV18-200BZXC
描述 IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,042
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1414AV18-200BZXC資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1414AV18-200BZXC
類別半導體內存IC內存
數據表
CY7C1414AV18-200BZXC, CY7C1414AV18-200BZXC數據表 (總頁數: 25, 大小: 481.08 KB)
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CY7C1414AV18-200BZXC規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, QDR II
內存大小36Mb (1M x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-FBGA (15x17)

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存接口

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時鐘頻率

5MHz

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電壓-供電

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工作溫度

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

1.65V ~ 2.25V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFBGA

供應商設備包裝

48-FBGA (8x9.5)

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

200ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

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