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CY7C1420JV18-300BZXC

CY7C1420JV18-300BZXC

僅供參考

型號 CY7C1420JV18-300BZXC
PNEDA編號 CY7C1420JV18-300BZXC
描述 IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,646
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1420JV18-300BZXC資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1420JV18-300BZXC
類別半導體內存IC內存
數據表
CY7C1420JV18-300BZXC, CY7C1420JV18-300BZXC數據表 (總頁數: 26, 大小: 662.81 KB)
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CY7C1420JV18-300BZXC規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, DDR II
內存大小36Mb (1M x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率300MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-FBGA (15x17)

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電壓-供電

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工作溫度

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存接口

SPI

時鐘頻率

40MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

1Gb (64M x 16)(NAND), 256Mb (16M x 16)(LPDRAM)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

130-VFBGA

供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

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內存大小

64Mb (4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

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