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CY7C1474BV25-200BGI

CY7C1474BV25-200BGI

僅供參考

型號 CY7C1474BV25-200BGI
PNEDA編號 CY7C1474BV25-200BGI
描述 IC SRAM 72M PARALLEL 209FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,212
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1474BV25-200BGI資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1474BV25-200BGI
類別半導體內存IC內存
數據表
CY7C1474BV25-200BGI, CY7C1474BV25-200BGI數據表 (總頁數: 29, 大小: 884.12 KB)
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CY7C1474BV25-200BGI規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列NoBL™
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小72Mb (1M x 72)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3ns
電壓-供電2.375V ~ 2.625V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱209-BGA
供應商設備包裝209-FBGA (14x22)

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內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

90ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

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供應商設備包裝

24-CDIP

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系列

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內存類型

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內存格式

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技術

FLASH - NOR

內存大小

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

90ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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