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CY7C1570KV18-500BZXI

CY7C1570KV18-500BZXI

僅供參考

型號 CY7C1570KV18-500BZXI
PNEDA編號 CY7C1570KV18-500BZXI
描述 IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價
1 ---------- $2,609.7215
50 ---------- $2,487.3908
100 ---------- $2,365.0601
200 ---------- $2,242.7294
400 ---------- $2,140.7871
500 ---------- $2,038.8449
庫存 177
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1570KV18-500BZXI資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1570KV18-500BZXI
類別半導體內存IC內存

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CY7C1570KV18-500BZXI規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, DDR II+
內存大小72Mb (2M x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率500MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-FBGA (13x15)

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-TBGA

供應商設備包裝

165-CABGA (13x15)

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

80MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-WDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10µs

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-WFBGA

供應商設備包裝

48-WFBGA (6x4)

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH, RAM

技術

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

內存大小

8Gb (512M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

168-VFBGA

供應商設備包裝

168-VFBGA (12x12)

71V35761S183BGG8

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

183MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.3ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

119-BGA

供應商設備包裝

119-PBGA (14x22)

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