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CY7C185-20PXC

CY7C185-20PXC

僅供參考

型號 CY7C185-20PXC
PNEDA編號 CY7C185-20PXC
描述 IC SRAM 64K PARALLEL 28DIP
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,328
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C185-20PXC資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C185-20PXC
類別半導體內存IC內存
數據表
CY7C185-20PXC, CY7C185-20PXC數據表 (總頁數: 11, 大小: 197.77 KB)
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CY7C185-20PXC規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小64Kb (8K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁20ns
訪問時間20ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱28-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝28-PDIP

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

1.6V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

3ns

電壓-供電

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內存接口

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時鐘頻率

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

20ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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