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CY7C199C-15VXC

CY7C199C-15VXC

僅供參考

型號 CY7C199C-15VXC
PNEDA編號 CY7C199C-15VXC
描述 IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 1,093
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C199C-15VXC資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C199C-15VXC
類別半導體內存IC內存
數據表
CY7C199C-15VXC, CY7C199C-15VXC數據表 (總頁數: 13, 大小: 298.73 KB)
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CY7C199C-15VXC規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小256Kb (32K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁15ns
訪問時間15ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
供應商設備包裝28-SOJ

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

7.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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安裝類型

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

750ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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供應商設備包裝

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