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CY7C2163KV18-450BZXI

CY7C2163KV18-450BZXI

僅供參考

型號 CY7C2163KV18-450BZXI
PNEDA編號 CY7C2163KV18-450BZXI
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價
1 ---------- $499.5601
50 ---------- $476.1432
100 ---------- $452.7263
200 ---------- $429.3094
400 ---------- $409.7954
500 ---------- $390.2813
庫存 1,519
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C2163KV18-450BZXI資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C2163KV18-450BZXI
類別半導體內存IC內存

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CY7C2163KV18-450BZXI規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, QDR II+
內存大小18Mb (1M x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率450MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-FBGA (13x15)

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系列

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

50µs

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.65V ~ 3.3V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

48-TSOP

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.1ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-TBGA

供應商設備包裝

165-TFBGA (13x15)

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系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

48-LCC (14.22x14.22)

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內存類型

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內存格式

FLASH, RAM

技術

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

內存大小

4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDRAM)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

208MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

137-VFBGA (13x10.5)

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系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

44-TSOP II

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