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CY7S1041GE30-10BVXI

CY7S1041GE30-10BVXI

僅供參考

型號 CY7S1041GE30-10BVXI
PNEDA編號 CY7S1041GE30-10BVXI
描述 IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 10,812
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7S1041GE30-10BVXI資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7S1041GE30-10BVXI
類別半導體內存IC內存

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CY7S1041GE30-10BVXI規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小4Mb (256K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁10ns
訪問時間10ns
電壓-供電2.2V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-VFBGA
供應商設備包裝48-VFBGA (6x8)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8, 64 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

-

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2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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