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CY7S1041GE30-10BVXIT

CY7S1041GE30-10BVXIT

僅供參考

型號 CY7S1041GE30-10BVXIT
PNEDA編號 CY7S1041GE30-10BVXIT
描述 IC SRAM 4M PARALLEL
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,858
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7S1041GE30-10BVXIT資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7S1041GE30-10BVXIT
類別半導體內存IC內存

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CY7S1041GE30-10BVXIT規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小4Mb (256K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁10ns
訪問時間10ns
電壓-供電2.2V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-VFBGA
供應商設備包裝48-VFBGA (6x8)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

250ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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技術

SDRAM

內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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寫周期-字,頁

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內存類型

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內存格式

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EEPROM

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

3ms

訪問時間

250ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

28-DIP (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

28-PDIP

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