CYD09S18V18-200BBXC
僅供參考
| 型號 | CYD09S18V18-200BBXC | ||||||||||||||||||
| PNEDA編號 | CYD09S18V18-200BBXC | ||||||||||||||||||
| 描述 | IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA | ||||||||||||||||||
| 制造商 | Cypress Semiconductor | ||||||||||||||||||
| 單價 |
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| 庫存 | 5,568 | ||||||||||||||||||
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 預計交貨 | 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸) | ||||||||||||||||||
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CYD09S18V18-200BBXC資源
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CYD09S18V18-200BBXC規格
| 制造商 | Cypress Semiconductor Corp |
| 系列 | - |
| 內存類型 | Volatile |
| 內存格式 | SRAM |
| 技術 | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| 內存大小 | 9Mb (512K x 18) |
| 內存接口 | Parallel |
| 時鐘頻率 | 200MHz |
| 寫周期-字，頁 | - |
| 訪問時間 | 3.3ns |
| 電壓-供電 | 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V |
| 工作溫度 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | 256-LBGA |
| 供應商設備包裝 | 256-FBGA (17x17) |
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