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CYD36S18V18-200BGXC

CYD36S18V18-200BGXC

僅供參考

型號 CYD36S18V18-200BGXC
PNEDA編號 CYD36S18V18-200BGXC
描述 IC SRAM 36M PARALLEL 484FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,840
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 10 - 一月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CYD36S18V18-200BGXC資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CYD36S18V18-200BGXC
類別半導體內存IC內存
數據表
CYD36S18V18-200BGXC, CYD36S18V18-200BGXC數據表 (總頁數: 53, 大小: 1,276.17 KB)
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CYD36S18V18-200BGXC規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小36Mb (2M x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.3ns
電壓-供電1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱484-FBGA
供應商設備包裝484-FBGA (23x23)

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內存接口

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時鐘頻率

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工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

供應商設備包裝

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

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