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CYDM128B08-40BVXI

CYDM128B08-40BVXI

僅供參考

型號 CYDM128B08-40BVXI
PNEDA編號 CYDM128B08-40BVXI
描述 IC SRAM 128K PARALLEL 100VFBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,526
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CYDM128B08-40BVXI資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CYDM128B08-40BVXI
類別半導體內存IC內存

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CYDM128B08-40BVXI規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, MoBL
內存大小128Kb (16K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁40ns
訪問時間40ns
電壓-供電1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱100-VFBGA
供應商設備包裝100-VFBGA (6x6)

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內存接口

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

130ns

訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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70ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

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安裝類型

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包裝/箱

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