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CYDM256B16-55BVXI

CYDM256B16-55BVXI

僅供參考

型號 CYDM256B16-55BVXI
PNEDA編號 CYDM256B16-55BVXI
描述 IC SRAM 256K PARALLEL 100VFBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,050
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CYDM256B16-55BVXI資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CYDM256B16-55BVXI
類別半導體內存IC內存

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CYDM256B16-55BVXI規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, MoBL
內存大小256Kb (16K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 2.7V ~ 3.3V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱100-VFBGA
供應商設備包裝100-VFBGA (6x6)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

4.2ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

100ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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20ns

訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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訪問時間

20ns

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