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D650N08TXPSA1

D650N08TXPSA1

僅供參考

型號 D650N08TXPSA1
PNEDA編號 D650N08TXPSA1
描述 DIODE GEN PURP 800V 650A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,906
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

D650N08TXPSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號D650N08TXPSA1
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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D650N08TXPSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)650A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果950mV @ 450A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr20mA @ 800V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱DO-200AA, A-PUK
供應商設備包裝-
工作溫度-結點-40°C ~ 180°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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