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DB103G

DB103G

僅供參考

型號 DB103G
PNEDA編號 DB103G
描述 BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DB
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,588
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DB103G資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DB103G
類別半導體二極管與整流器橋式整流器
數據表
DB103G, DB103G數據表 (總頁數: 3, 大小: 591.19 KB)
PDFDB104G數據表 封面
DB104G數據表 頁面 2 DB104G數據表 頁面 3

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DB103G規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Single Phase
技術Standard
電壓-反向峰值(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 200V
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱4-EDIP (0.321", 8.15mm)
供應商設備包裝DB

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當前-反向泄漏@ Vr

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二極管類型

Single Phase

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電壓-反向峰值(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 20A

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-反向峰值(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 3A

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

工作溫度

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1400V

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電壓-反向峰值(最大值)

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電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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