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DD750S65K3NOSA1

DD750S65K3NOSA1

僅供參考

型號 DD750S65K3NOSA1
PNEDA編號 DD750S65K3NOSA1
描述 DIODE MODULE GP 6500V AIHV130-6
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,102
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DD750S65K3NOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DD750S65K3NOSA1
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
DD750S65K3NOSA1, DD750S65K3NOSA1數據表 (總頁數: 7, 大小: 407.64 KB)
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DD750S65K3NOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
二極管配置2 Independent
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)6500V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)-
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果3.5V @ 750A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1100A @ 3600V
工作溫度-結點-50°C ~ 125°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝A-IHV130-6

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

200A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 100A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 20V

工作溫度-結點

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安裝類型

Chassis Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

370mV @ 1mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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300A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 150A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

8mA @ 20V

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

80V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

740mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 80V

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

300A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 300A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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