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DDTC143ZE-7

DDTC143ZE-7

僅供參考

型號 DDTC143ZE-7
PNEDA編號 DDTC143ZE-7
描述 TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 4,392
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DDTC143ZE-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DDTC143ZE-7
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
DDTC143ZE-7, DDTC143ZE-7數據表 (總頁數: 4, 大小: 182.93 KB)
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DDTC143ZE-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)4.7 kOhms
電阻-發射極基(R2)47 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡250MHz
功率-最大150mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-523
供應商設備包裝SOT-523

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50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

150MHz

功率-最大

300mW

安裝類型

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包裝/箱

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電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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晶體管類型

PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

100 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

200mW

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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