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DDTD123YC-7-F

DDTD123YC-7-F

僅供參考

型號 DDTD123YC-7-F
PNEDA編號 DDTD123YC-7-F
描述 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 27,696
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DDTD123YC-7-F資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DDTD123YC-7-F
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
DDTD123YC-7-F, DDTD123YC-7-F數據表 (總頁數: 4, 大小: 74.59 KB)
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DDTD123YC-7-F規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)2.2 kOhms
電阻-發射極基(R2)10 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce56 @ 50mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡200MHz
功率-最大200mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3

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50V

電阻-基本(R1)

47 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 5V

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120 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

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Surface Mount

包裝/箱

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4.7 kOhms

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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150mV @ 500µA, 10mA

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