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DGD21032S8-13

DGD21032S8-13

僅供參考

型號 DGD21032S8-13
PNEDA編號 DGD21032S8-13
描述 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 2,646
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DGD21032S8-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DGD21032S8-13
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
DGD21032S8-13, DGD21032S8-13數據表 (總頁數: 11, 大小: 938.04 KB)
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DGD21032S8-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Independent
驅動程序數量2
門類型IGBT, N-Channel MOSFET
電壓-供電10V ~ 20V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 2.5V
電流-峰值輸出(源極,接收器)290mA, 600mA
輸入類型Inverting, Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)600V
上升/下降時間(典型值)70ns, 35ns
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.6A, 1.6A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

118V

上升/下降時間(典型值)

600ns, 600ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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邏輯電壓-VIL,VIH

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電流-峰值輸出(源極,接收器)

3A, 3A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

25ns, 25ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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驅動配置

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驅動程序數量

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門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

3A, 3A

輸入類型

RC Input Circuit

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

10ns, 10ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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