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DGTD120T40S1PT

DGTD120T40S1PT

僅供參考

型號 DGTD120T40S1PT
PNEDA編號 DGTD120T40S1PT
描述 IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 5,058
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DGTD120T40S1PT資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DGTD120T40S1PT
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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DGTD120T40S1PT規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
IGBT類型Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)80A
電流-集電極脈沖(Icm)160A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.4V @ 15V, 40A
功率-最大357W
開關能量1.96mJ (on), 540µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用341nC
25°C時的Td(開/關)65ns/308ns
測試條件600V, 40A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)100ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247

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PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

130A

電流-集電極脈沖(Icm)

250A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 36A

功率-最大

600W

開關能量

1.3mJ (on), 370µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

80nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/80ns

測試條件

400V, 36A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

120ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

22A

電流-集電極脈沖(Icm)

44A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 12A

功率-最大

66W

開關能量

190µJ (on), 920µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

27nC

25°C時的Td(開/關)

26ns/194ns

測試條件

480V, 12A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

D-Pak

制造商

IXYS

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GenX3™, XPT™

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

164A

電流-集電極脈沖(Icm)

320A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 82A

功率-最大

1040W

開關能量

4.95mJ (on), 2.78mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

215nC

25°C時的Td(開/關)

29ns/192ns

測試條件

600V, 80A, 2Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

420ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

144A

電流-集電極脈沖(Icm)

320A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 80A

功率-最大

404W

開關能量

2.65mJ (on), 1.8mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

171nC

25°C時的Td(開/關)

45ns/201ns

測試條件

400V, 80A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

109ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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